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    EPC Mosfet场效应管 EPC2040
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2040

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.93nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@6V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.29mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010ET30
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010ET30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":24000,"MI+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010ET30

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:30A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:299
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:131mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2040

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.93nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@6V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2216

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:118pF@7.5V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL1,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL1,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€210W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4325pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4898NFT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4898NFT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4825,"MI+":846}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4898NFT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW€73.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3233pF@12V

    连续漏极电流:13.2A€117A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:553
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KT-TP
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KT-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNFRATL
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNFRATL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P050SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR020N06TL

    工作温度:150℃

    功率:540mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4325pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4825NFET1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4825NFET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":5400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4825NFET1G

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:950mW€96.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5660pF@15V

    连续漏极电流:17A€171A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    EPC Mosfet场效应管 EPC2012C
    EPC Mosfet场效应管 EPC2012C

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2012C

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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