采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：400psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5104TR2PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€114W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：23，"20+"：850，"22+"：26}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB140N08S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3607TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@46A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1018ESTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@50V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3607TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@46A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3300ANH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3300ANH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1018ESTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@50V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3300ANH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：300}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3607TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@46A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1010ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@42A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1010ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@42A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3607TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@46A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3607TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@46A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2070}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR3607TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@50V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@46A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1018ETRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@50V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1018ESTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@50V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1018ETRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@50V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：23，"20+"：850，"22+"：26}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB140N08S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
