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    栅极电荷
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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    阈值电压: 4V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:3600+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订5个装
    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订5个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60L

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@30V

    连续漏极电流:10A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60L

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 1N65G
    UMW Mosfet场效应管 1N65G

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 1N65G
    UMW Mosfet场效应管 1N65G

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 1N60G
    UMW Mosfet场效应管 1N60G

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 1N65G
    UMW Mosfet场效应管 1N65G

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 1N60L
    UMW Mosfet场效应管 1N60L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60L

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€102W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1764pF@30V

    连续漏极电流:3.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€102W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1764pF@30V

    连续漏极电流:3.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 1N60L
    UMW Mosfet场效应管 1N60L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60L

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 1N60G
    UMW Mosfet场效应管 1N60G

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€102W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1764pF@30V

    连续漏极电流:3.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@30V

    连续漏极电流:10A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@30V

    连续漏极电流:10A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 1N60L
    UMW Mosfet场效应管 1N60L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60L

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@30V

    连续漏极电流:10A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM045NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM045NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM045NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6870pF@30V

    连续漏极电流:16A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJMD990N65EC_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJMD990N65EC_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMD990N65EC_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:47.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:306pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@30V

    连续漏极电流:10A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@30V

    连续漏极电流:10A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    UMW Mosfet场效应管 1N65G
    UMW Mosfet场效应管 1N65G

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 1N65G
    UMW Mosfet场效应管 1N65G

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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