采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7451TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：14032，"23+"：3700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS31N20DTRLP
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€200W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：14032，"23+"：3700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS31N20DTRLP
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€200W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5801TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：14032，"23+"：3700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS31N20DTRLP
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€200W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：14032，"23+"：3700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS31N20DTRLP
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€200W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：14032，"23+"：3700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS31N20DTRLP
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€200W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：9.1nC@10V
输入电容：476pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：9.1nC@10V
输入电容：476pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
