品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:3.8V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7670pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3,"22+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S207ATMA4
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@68A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":388}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S4L05ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8180pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":10,"21+":1894}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S4L05ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8180pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":662}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS4115-7TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:380W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5320pF@50V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@63A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S215ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3880}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8040pF@40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3,"22+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S207ATMA4
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@68A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3880}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8040pF@40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2000,"22+":10673}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC012N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€64W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8183pF@15V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.23mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT65R033G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4V@1.44mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@400V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@28.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC012N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€64W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8183pF@15V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.23mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC012N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€64W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8183pF@15V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.23mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S4L05ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8180pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2980}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8040pF@40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3307ZTRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6775pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4115TRL7PP
工作温度:-55℃~175℃
功率:380W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5320pF@50V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@63A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: