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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AOD5T40P
    AOS Mosfet场效应管 AOD5T40P

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD5T40P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:273pF@100V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB4N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€130W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS4115TRL 起订36个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS4115TRL 起订36个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":650}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS4115TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:99A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.1mΩ@62A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:36
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS4115-7TRL 起订120个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS4115-7TRL 起订120个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":662}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS4115-7TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:380W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5320pF@50V

    连续漏极电流:105A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.8mΩ@63A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3769pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4480
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4480

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4480

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1686pF@20V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2614
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2614

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2614

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7230pF@25V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@31A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD1N80TM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD1N80TM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD1N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@500mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD1N80TM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD1N80TM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD1N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@500mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB38N30U
    onsemi Mosfet场效应管 FDB38N30U

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB38N30U

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@19A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:204
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N50TM-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N50TM-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5414,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6N50TM-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9400pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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