采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
类型：N沟道
输入电容：1140pF@10V
功率：1.8W
栅极电荷：12.5nC@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
类型：N沟道
输入电容：792pF@15V
功率：1.8W
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
类型：N沟道
输入电容：792pF@15V
功率：1.8W
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：482pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMX100UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN16XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMX100UNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：144pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB43UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMX100UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501VNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：556mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@6V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501VNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：556mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@6V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
