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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":25772}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€43W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:834
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":5486,"12+":162000,"16+":147000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:14A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:376
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF530STRL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€43W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:834
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:14A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN018-80YS,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN018-80YS,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN018-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:89W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@40V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8878

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1169
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R903PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R903PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN2R903PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:630mW€75W

    阈值电压:2.1V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S309ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S309ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2451,"21+":909,"22+":2338,"23+":65354,"MI+":4847}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S309ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:560
    AOS Mosfet场效应管 AON6236
    AOS Mosfet场效应管 AON6236

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6236

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€39W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@20V

    连续漏极电流:19A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN018-80YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN018-80YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN018-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:89W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@40V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC886N03LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC886N03LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4609,"19+":3791,"MI+":4825}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC886N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€39W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:13A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1340
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R903PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R903PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN2R903PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:630mW€75W

    阈值电压:2.1V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8878

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1313pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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