首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用
    类型
    ECCN
    包装方式
    栅极电荷
    阈值电压
    漏源电压
    连续漏极电流
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 1.8nC@10V
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001 起订24个装
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001 起订24个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 BSS123
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@50V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 BSS123_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订913个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订913个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3506,"22+":2073}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:913
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":65450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":65450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3241
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:17A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":65450}

    规格型号(MPN):BSS123

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    输入电容:14pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    连续漏极电流:200mA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    连续漏极电流:17A€52A

    栅极电荷:1.8nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    连续漏极电流:17A€52A

    栅极电荷:1.8nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS7D3N04CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€38W

    阈值电压:2V@30µA

    连续漏极电流:17A€52A

    栅极电荷:1.8nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧