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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 4.3nC@10V
    当前匹配商品:30+
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    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1 起订1074个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1 起订1074个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":696,"23+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN50R3K0CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1074
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6024DPD-00#J2
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6024DPD-00#J2

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2

    工作温度:150℃

    功率:27.2W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.5pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:42Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:257
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6024DPD-00#J2
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6024DPD-00#J2

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2

    工作温度:150℃

    功率:27.2W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.5pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:42Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6024DPD-00#J2
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6024DPD-00#J2

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2

    工作温度:150℃

    功率:27.2W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.5pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:42Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

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    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN50R3K0CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN50R3K0CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN50R3K0CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R3K0CEAUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6024DPD-00#J2
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6024DPD-00#J2

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2

    工作温度:150℃

    功率:27.2W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.5pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:42Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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