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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:12A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":50000,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:12A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1961
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0803NLSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0803NLSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2574,"22+":3377}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0803NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€43W

    阈值电压:2.3V@18µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:7.7A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:725
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5867NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":33035}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0506NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1158
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@75V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055-150T4G-VF01
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055-150T4G-VF01

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD3055-150T4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€28.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:342pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0589NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0589NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2260,"23+":6790}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0589NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1082
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86252

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@75V

    连续漏极电流:4.6A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:855pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86252

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@75V

    连续漏极电流:4.6A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD15N06-42L_T4GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD15N06-42L_T4GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD15N06-42L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:855pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:342pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0504NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0504NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4474}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0504NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@15V

    连续漏极电流:21A€72A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1075
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:652mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@30V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y12-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y12-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y12-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1039pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0506NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0909NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0909NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0909NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€27W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:12A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:34V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8334TRPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8334TRPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1395,"20+":745,"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8334TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€30W

    阈值电压:2.35V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@10V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@75V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0506NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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