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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：15.3A€38.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS892DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：611pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIS892DN-T1-GE3
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功率：3.5W€19W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：611pF@50V
连续漏极电流：30A
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导通电阻：29mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：15.3A€38.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：15.3A€38.3A
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连续漏极电流：12A
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漏源电压：40V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
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输入电容：611pF@50V
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
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导通电阻：26mΩ@9A，10V
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连续漏极电流：12A
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