采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：4.8nC@10V
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输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
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功率：350mW
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栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
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功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
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规格型号(MPN)：1N60G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
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输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：1N60L
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规格型号(MPN)：1N60L
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导通电阻：11Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：1N60L
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类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
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功率：350mW
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栅极电荷：4.8nC@10V
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输入电容：447pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：4.8nC@10V
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输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：1N65G
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漏源电压：650V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
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栅极电荷：4.8nC@10V
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输入电容：447pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：1N65G
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导通电阻：11Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
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输入电容：150pF@25V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：1N60G
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类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
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输入电容：447pF@15V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
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功率：350mW
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
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