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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@40V

    连续漏极电流:82A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE013N04LM6CGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€107W

    阈值电压:2V@51µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:31A€205A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86101
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86101

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86101
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86101

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD082N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:141W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2925pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@40V

    连续漏极电流:82A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N03LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N03LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@15V

    连续漏极电流:23A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:3.5V@75µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2925pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS005N10MCLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS005N10MCLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:3V@192µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@50V

    连续漏极电流:16A€105A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@34A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS005N10MCLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS005N10MCLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:3V@192µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@50V

    连续漏极电流:16A€105A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@34A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:141W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS005N10MCLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS005N10MCLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:3V@192µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@50V

    连续漏极电流:16A€105A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@34A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R104PB,L1XHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R104PB,L1XHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R104PB,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.14mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R104PB,L1XHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R104PB,L1XHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R104PB,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.14mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB083N10N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB083N10N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":831}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:415
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R104PB,L1XHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R104PB,L1XHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R104PB,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.14mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R104PB,L1XHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R104PB,L1XHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R104PB,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.14mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS005N10MCLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS005N10MCLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:3V@192µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@50V

    连续漏极电流:16A€105A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@34A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@40V

    连续漏极电流:82A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N04LSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N04LSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC014N04LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2925pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
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