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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT200N08S5N023ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT200N08S5N023ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUT200N08S5N023ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:3.8V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7670pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S207ATMA4 起订230个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S207ATMA4 起订230个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3,"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S207ATMA4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@68A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:230
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":388}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:67
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N06S4L05ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N06S4L05ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N06S4L05ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.2V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8180pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N06S4L05ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N06S4L05ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":10,"21+":1894}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N06S4L05ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.2V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8180pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:527
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS4115-7TRL 起订120个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS4115-7TRL 起订120个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":662}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS4115-7TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:380W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5320pF@50V

    连续漏极电流:105A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.8mΩ@63A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S215ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S215ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N06S215ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTAT6H406NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTAT6H406NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3880}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8040pF@40V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:199
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8460

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7205pF@20V

    连续漏极电流:25A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S207ATMA4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S207ATMA4

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3,"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S207ATMA4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@68A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTAT6H406NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTAT6H406NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3880}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8040pF@40V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2000,"22+":10673}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:211
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC012N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€64W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8183pF@15V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.23mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R033G7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R033G7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT65R033G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@400V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@28.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC012N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€64W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8183pF@15V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.23mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC012N03

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€64W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8183pF@15V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.23mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8460

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7205pF@20V

    连续漏极电流:25A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N06S4L05ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N06S4L05ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N06S4L05ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.2V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8180pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTAT6H406NT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTAT6H406NT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2980}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8040pF@40V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3307ZTRRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3307ZTRRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS3307ZTRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@75A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:272W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6775pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4115TRL7PP 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4115TRL7PP 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4115TRL7PP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:380W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5320pF@50V

    连续漏极电流:105A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.8mΩ@63A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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