品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF620STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT111N20NFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@100V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@96A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7172ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~125℃
阈值电压:3.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@100V
连续漏极电流:5.3A€17.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL210TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:960mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@580mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC350N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@100V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF620STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA20EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:22.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6650pF@100V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@84A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: