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    漏源电压
    25V
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 25V
    当前匹配商品:900+
    商品信息
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    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC009NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@12V

    连续漏极电流:41A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2974,"10+":202,"12+":199,"13+":564,"14+":63445,"16+":7500,"18+":39000,"19+":22914,"21+":27500,"22+":3872}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4858NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€54.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1563pF@12V

    连续漏极电流:11.2A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:971
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":42,"23+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4405NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2980
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€78W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@12V

    连续漏极电流:22A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€188W

    阈值电压:2V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@12.5V

    连续漏极电流:40A€479A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.45mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-25YLB,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1099pF@12V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:161nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6670pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8150pF@10V

    连续漏极电流:71.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5453pF@12V

    连续漏极电流:41A€298A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":828458}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4405NT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2671
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ013NE2LS5IATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ013NE2LS5IATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4195}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ013NE2LS5IATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@12V

    连续漏极电流:32A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:486
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":22500,"11+":517500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4865NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€33.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@12V

    连续漏极电流:8.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2004
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-25MLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-25MLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R8-25MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2432pF@12.5V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB65N02RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:822
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5CGSCATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5CGSCATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5453pF@12V

    连续漏极电流:47A€310A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3950,"22+":5000,"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:673
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5453pF@12V

    连续漏极电流:41A€298A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDV303N 起订8个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDV303N 起订8个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-25YLB,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1099pF@12V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC024NE2LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@12V

    连续漏极电流:25A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050NE2LSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050NE2LSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@12V

    连续漏极电流:39A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4405NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4405NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4405NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC026NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC026NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC026NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€29W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@12V

    连续漏极电流:24A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":3855,"05+":168260,"06+":527497,"08+":7445,"09+":75000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03RT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:891
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4H05NTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4H05NTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":217616}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4H05NTWG

    工作温度:150℃

    功率:2.66W€46.3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@12V

    连续漏极电流:22.4A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:564
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4860NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.28W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1308pF@12V

    连续漏极电流:10.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:902
    NXP Mosfet场效应管 PHD108NQ03LT,118
    NXP Mosfet场效应管 PHD108NQ03LT,118

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":72}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHD108NQ03LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1375pF@12V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1069
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