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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 150mA
    当前匹配商品:40+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 3LN01SS-TL-E
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01SS-TL-E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7900,"13+":16000,"14+":71789,"19+":24000,"9999":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LN01SS-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1924
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    onsemi Mosfet场效应管 EC4401C-TL
    onsemi Mosfet场效应管 EC4401C-TL

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":80000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EC4401C-TL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2671
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3306FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@18V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01M-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01M-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":113686}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LN01M-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5342
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@120mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@120mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3306FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@18V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3306FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@18V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Microchip Mosfet场效应管 TN5325K1-G
    Microchip Mosfet场效应管 TN5325K1-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN5325K1-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7Ω@1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3306FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@18V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Microchip Mosfet场效应管 TN5325K1-G
    Microchip Mosfet场效应管 TN5325K1-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN5325K1-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7Ω@1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01SS-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01SS-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":408000,"14+":24000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LN01SS-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01M-TL-E
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01M-TL-E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LN01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.3V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@120mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@120mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@120mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    加购:3000
    ROHM Mosfet场效应管 RV1C002UNT2CL 起订8000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV1C002UNT2CL 起订8000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8000
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01SS-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01SS-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":408000,"14+":24000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LN01SS-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1924
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01C-TB-H 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01C-TB-H 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":25564,"13+":2469}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LN01C-TB-H

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1924
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@120mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    Microchip Mosfet场效应管 TN5325K1-G
    Microchip Mosfet场效应管 TN5325K1-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN5325K1-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7Ω@1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3306FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@18V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@120mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3306FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@18V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
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