采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3404A_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3404A_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3404A_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3404A_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3404A_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3404A_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3404-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：343pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3404A_R1_00001
输入电容：602pF@15V
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
栅极电荷：12.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：5.6A
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3404A_R1_00001
输入电容：602pF@15V
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
栅极电荷：12.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：5.6A
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7414DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7414DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
