首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R028G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:123nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4820pF@400V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@28.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75545S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:235nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7610-100B,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7610-100B,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7610-100B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6773pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:102
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75545S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:235nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9611-80E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9611-80E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9611-80E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:182W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7149pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK969R0-60E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK969R0-60E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK969R0-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:137W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4350pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9608-55B,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9608-55B,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9608-55B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:203W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5280pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9611-80E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9611-80E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9611-80E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:182W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7149pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9609-75A,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9609-75A,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9609-75A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y09-40B,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y09-40B,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y09-40B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:105.3W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9606-55A,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9606-55A,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9606-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8600pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK765R3-40E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK765R3-40E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK765R3-40E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:137W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2772pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04YUK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04YUK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP75N04YUK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€138W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@38A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9609-75A,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9609-75A,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9609-75A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9609-40B,118 起订461个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9609-40B,118 起订461个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9609-40B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:157W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:461
    NXP Mosfet场效应管 PHD108NQ03LT,118
    NXP Mosfet场效应管 PHD108NQ03LT,118

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":72}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHD108NQ03LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1375pF@12V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1069
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK762R7-30B,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK762R7-30B,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK762R7-30B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6212pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:169
    NXP Mosfet场效应管 BUK764R3-40B,118
    NXP Mosfet场效应管 BUK764R3-40B,118

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1834,"12+":5781}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK764R3-40B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:254W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4824pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:157
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    RENESAS Mosfet场效应管 NP74N04YUG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP74N04YUG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP74N04YUG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5430pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHD97NQ03LT,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHD97NQ03LT,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5000,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHD97NQ03LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@12V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1156
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9605-30A,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9605-30A,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":8107}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9605-30A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8600pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:379
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7610-55AL,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7610-55AL,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000,"MI+":790}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7610-55AL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6280pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 ATP203-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ATP203-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"01+":2856,"13+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP203-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@10V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@38A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7610-55AL,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7610-55AL,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000,"MI+":790}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7610-55AL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6280pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04VDK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04VDK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@38A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R028G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:123nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4820pF@400V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@28.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7610-100B,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7610-100B,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7610-100B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6773pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76439S3ST
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76439S3ST

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76439S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:180W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2745pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧