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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 1.6A
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3432-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3432-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3432-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3432-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3432-AU_R1_000A1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:1.3V@250µA

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13302WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:862pF@6V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13302WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:862pF@6V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV164ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV164ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV164ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:640mW€5.8W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:218mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV164ENEAR 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV164ENEAR 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV164ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:640mW€5.8W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:218mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
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