采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：1680pF@20V
漏源电压：60V
连续漏极电流：44A
导通电阻：23mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M14-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1211pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M14-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1211pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：14380}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M14-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1211pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：58000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1205TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@26A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18195，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1635pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，6V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
