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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3200，"22+"：2400，"24+"：1600，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4533pF@20V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4533pF@20V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：760，"22+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70P04P409ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4533pF@20V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4533pF@20V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4533pF@20V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3200，"22+"：2400，"24+"：1600，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4533pF@20V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3200，"22+"：2400，"24+"：1600，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4533pF@20V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3200，"22+"：2400，"24+"：1600，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4533pF@20V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4533pF@20V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：97.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4533pF@20V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
