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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2057}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6431-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2004
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050UNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050UNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C050UNTR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP602-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:70W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:465
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNFRATL
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNFRATL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P050SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 SIL05N06A-TP
    MCC Mosfet场效应管 SIL05N06A-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL05N06A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1018pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MCC Mosfet场效应管 SI2312-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2312-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@4.3A,1.8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    EPC Mosfet场效应管 EPC2012C
    EPC Mosfet场效应管 EPC2012C

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2012C

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P050SNTL1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1313pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.55V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@12.5V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K5CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:49W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024ZTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024ZTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL024ZTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K5CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:49W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7500
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K5CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:49W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K5CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:49W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR220NTRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR220NTRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP602-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:70W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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