品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2151pF@20V
连续漏极电流:15A€75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6904pF@30V
连续漏极电流:16A€104A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6904pF@30V
连续漏极电流:16A€104A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4460AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€23.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:3.7A€11A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4460AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€23.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:3.7A€11A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2151pF@20V
连续漏极电流:15A€75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€115.4W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:29.7A€174A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138
工作温度:-55℃~175℃
功率:430mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: