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    行业应用
    类型
    ECCN
    漏源电压
    40V
    包装方式
    功率
    500mW 5W 1W 2.5W 60W 65W 600W 750mW 2W 1.3W 80W 1.5W 2.5W€38W 2.5W€78W 89W 4.6W€46W 118W 3.1W€195W 68W 2.5W€63W 5.2W€69W 4.8W€48W 83W 139W 3.8W€250W 71W 380W 2.1W€69W 375W 300W 104W 325W 38W 55W 3.8W€28W 3.2W€63W 31W 156W 75W 138W 188W 333W 96W 2.4W 2.5W€6W 3.7W€52W 94.3W 187W 3W€115W 2.3W 1.56W 135W 90W 306W 86W 1.25W 15W 3W€30W 147W 15.6W 3.5W€7.8W 48W 106W 710mW€8.3W 2.62W€65.2W 3.5W€19W 217W 263W 3.8W€110W 214W 2.1W€100W 57W 500W 42W 3.1W€110W 3.1W€66W 960mW€1.7W 180W 20W 238W 167W 28W 74W 46W 2.15W 2.5W€125W 94W 2W€7.5W 33W 3.8W€200W 1.6W 198W 2.5W€104W 429W 2.99W€55.5W 194W 59W 1.25W€2.1W 615mW€7.5W 63W 3W 3.3W€125W 78W 242W 58W 69W 45W 37W 2.5W€83W 272W 6.25W€104W 2.7W 88W 312W 200W 3W€188W 30W 107W 190W 64W 4.3W€159.6W 7.3W€208W 115W 50W 720mW 1.7W 3.8W€300W 2.5W€50W 2.3W€54W 250W 62.5W 3.2W€167W 357W 3.1W€89W 140W 3.9W€134W 3.1W 62W 211W 41W 79W 131W 34W 137W 3.8W€52W 3W€125W 125W 56W 158W 2.8W€89W 330W 176W 100W 157W 254W 44W 294W 1W€23W 150W 117W 660mW 3.03W 3W€35W 3.5W€28W 136W 208W 230W 2.6W 70W 59.4W 960mW€170W 930mW 203W 4.3W€136.4W 395W 101W 56.8W 460mW€5W 3.1W€107W 3.8W€106W 205W 3.8W€128W 3.2W€125W 19.8W 3.2W€55W 3W€167W 5W€34.7W 172W 3W€6W 27.7W 652mW€7.5W 3.8W€340W 3.1W€77W 2.1W€52W 1.9W€176W 2.5W€69W 4.7W€153W 3.9W€200W 69.4W 3.1W€69W 234W 2.5W€37W 148W 191W 3.9W€166W 2W€19W 1W€77W 3.1W€56W 610mW€61W 293W 3.6W€50W 3.6W€55W 4.3W€198.4W 990mW 3.7W€83W 182W 153W 3W€40W 87W 4.1W€166W 4.3W€180.7W 3W€42W 231W 3W€25W 3.1W€32W 3.1W€83W 1.8W€147W 2.5W€93.75W 830mW€116W 1W€170W 197W 3W€79W 2.5W€35W 3W€100W 2.5W€57W 2.8W€75W 2.5W€52W 3.1W€150W 3.8W€150W 3W€150W 2.5W€75W 2.3W€15W 2.5W€96W 2.5W€139W 2.3W€40W 3.8W€341W 4.9W€205W 2.67W€27.1W 3.3W€160W 5W€56.8W 840mW€65W 4.8W€56.8W 630mW€86W 3.9W€179W 2W€41W 2.9W€56W 3W€69W 2.1W€63W 5.6W€428W 3.8W€167W 3.9W€83W 48.4W 5W€244W 4.1W€46.2W 3.1W€50W 3.1W€68W 2.3W€24W 4.2W€180W 3.2W€156W 2.9W€18W 3.33W€125W 105.3W 2.3W€30W 6.25W€100W 960mW€132W 3.3W€68W 3.7W€127W 3.2W€140W 3.9W€273W 2.3W€83W 2.6W€150W 2.9W€23W 3.5W€37W 1.2W€105W 1W€138W 3.6W€68W 3.7W€68W 1.2W€75W 5W€245W 3.2W€139W 8.3W€300W 2.5W€107W 3W€32W 2.1W€35W 204W 3.3W€115.4W 3.1W€120W 3.2W€85W 555W 3.8W€125W 3.8W€38W 3.8W€146W 490mW€6.25W 3.6W€114W 3W€38W 3.2W€69W 960mW€81W 4.2W€39W 630mW€104W 1W€97W 1W€120W 840mW€100W 2.4W€60W
    阈值电压
    1.95V@1mA 2.6V@1mA 2.4V@1mA 2.2V@1mA 2.1V@1mA 4V@1mA 2.5V@1mA 1.2V@1mA 2.8V@1mA 2.3V@1mA 2.15V@1mA 3V@1mA 2V@1mA 3.6V@1mA 1.6V@1mA 2.05V@1mA 2.5V@2mA 2.5V@7mA 2V@90µA 2V@200µA 2V@10µA 2.25V@250µA 3.5V@170µA 2.2V@35µA 4V@85µA 3.9V@150µA 3V@250µA 2.8V@1.05mA 3.5V@60µA 4V@17µA 4V@140µA 3.5V@40µA 2.7V@250µA 1V@250µA 4V@26µA 2.4V@100µA 3V@24µA 4V@95µA 4V@100µA 4V@150µA 3.5V@130µA 4V@27µA 3.5V@20µA 2V@250µA 4V@250µA 2V@20µA 3.9V@100µA 2V@23µA 3.5V@250µA 5V@250µA 2.5V@200µA 2.4V@250µA 2.2V@250µA 2.2V@20µA 4V@70µA 2V@49µA 2.3V@250µA 3.4V@23µA 2.5V@25µA 2V@80µA 4V@90µA 2V@14µA 1.4V@250µA 2V@170µA 2.5V@100µA 4V@35µA 3.5V@30µA 2.5V@250µA 4V@120µA 3.4V@100µA 3.5V@90µA 2.5V@500µA 4V@290µA 2.5V@150µA 2V@60µA 2V@30µA 3.4V@50µA 4V@28µA 1.5V@250µA 3.4V@13µA 3.3V@250µA 4V@53µA 2.1V@250µA 2V@27µA 4V@180µA 2V@50µA 3.9V@250µA 3.8V@250µA 3.5V@50µA 2.5V@9mA 2.2V@95µA 4V@40µA 2.4V@200µA 3.4V@10µA 2V@24µA 3.4V@30µA 4V@110µA 2.2V@200µA 3V@130µA 4V@30µA 3.4V@17µA 2.45V@250µA 3.4V@60µA 2V@120µA 2V@45µA 4V@15µA 2V@13µA 2V@36µA 4V@125µA 2.4V@500µA 2V@21µA 4V@200µA 2V@180µA 2V@280µA 3V@32µA 2V@130µA 2.2V@30µA 3.4V@90µA 2V@51µA 3V@210µA 2.3V@50µA 3V@60µA 2V@17µA 3V@50µA 2.4V@300µA 2.2V@140µA 3V@18µA 3.5V@190µA 2.5V@300µA 2.2V@17µA 2V@85µA 2V@18µA 3.5V@65µA 2.2V@110µA 4V@230µA 3.4V@70µA 1.6V@500µA 2.8V@747µA 4V@210µA 4V@475µA 3V@14µA 4V@65µA 3V@90µA 2V@95µA 3V@145µA 3V@500µA 2.5V@19mA 2V@32µA 4V@52µA 2.5V@18mA
    栅极电荷
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    连续漏极电流
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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 40V
    包装方式: 卷带(TR)
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    UMW Mosfet场效应管 AO4480
    UMW Mosfet场效应管 AO4480

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    UMW Mosfet场效应管 AO4480
    UMW Mosfet场效应管 AO4480

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

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    导通电阻:12mΩ@14A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    UMW Mosfet场效应管 AO4480
    UMW Mosfet场效应管 AO4480

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:10A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

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    栅极电荷:60nC@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO4480
    UMW Mosfet场效应管 AO4480

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

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    输入电容:1920pF@20V

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    导通电阻:12mΩ@14A,10V

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    库存:

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

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    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO4480
    UMW Mosfet场效应管 AO4480

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

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    输入电容:1920pF@20V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:25
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2151pF@20V

    连续漏极电流:15A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2318CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2318CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2318CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2318CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2318CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2318CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2318CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2318CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2318CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3440_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3440_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3440_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@20V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM070NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM070NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2151pF@20V

    连续漏极电流:15A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5540V-AU_R2_002A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€115.4W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:29.7A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3440_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3440_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3440_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@20V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
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