首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用
    类型
    ECCN
    漏源电压
    20V
    包装方式
    栅极电荷
    4.2nC@4.5V 3.4nC@4.5V 6.7nC@4.5V 47nC@8V 3.8nC@4.5V 2.8nC@4.5V 90nC@10V 3nC@4.5V 12nC@10V 13nC@4.5V 95nC@10V 9.6nC@4.5V 8.3nC@4.5V 30nC@4.5V 6.5nC@4.5V 5.1nC@4.5V 8.8nC@4.5V 7.7nC@10V 15.6nC@10V 3.2nC@4.5V 14nC@4.5V 21nC@4.5V 11.6nC@4.5V 5.5nC@4.5V 15nC@4.5V 34nC@10V 6nC@10V 1.82nC@4.5V 10nC@4.5V 12.3nC@10V 4.8nC@4.5V 18nC@10V 150nC@10V 23nC@4.5V 62nC@10V 12nC@4.5V 32nC@4.5V 17nC@4.5V 3.9nC@4.5V 4nC@4.5V 34nC@4.5V 1.1nC@4.5V 1nC@4.5V 6nC@4.5V 6.2nC@4.5V 41nC@10V 53nC@10V 8nC@4.5V 18nC@8V 8.4nC@4.5V 6.3nC@4.5V 6.7nC@10V 66nC@5V 14.5nC@4.5V 17nC@10V 56nC@10V 5nC@4.5V 20nC@10V 18nC@4.5V 2nC@8V 7.7nC@4.5V 3.6nC@4.5V 29nC@4.5V 11nC@4.5V 45nC@4.5V 20.2nC@4.5V 27nC@4.5V 2.1nC@4.5V 44nC@4.5V 7.5nC@4.5V 2.7nC@8V 1.7nC@2.5V 2nC@4.5V 7nC@4.5V 1.4nC@4.5V 12.5nC@10V 2nC@10V 4.6nC@4.5V 1.6nC@4.5V 3.5nC@4.5V 8.5nC@4.5V 9nC@4.5V 12nC@5V 2.8nC@10V 1.5nC@4.5V 8nC@8V 43nC@10V 2.3nC@4.5V 8.9nC@4.5V 5.4nC@4.5V 16nC@4.5V 164nC@10V 110nC@10V 18nC@5V 500nC@4.5V 2.3nC@10V 7.1nC@4.5V 4.3nC@4.5V 1.3nC@10V 3.5nC@4V 5.85nC@4.5V 99nC@10V 3.1nC@10V 3.3nC@4.5V 5.7nC@4.5V 1.8nC@4.5V 37nC@4V 1.65nC@4.5V 1.23nC@4V 4.7nC@2.5V 16nC@8V 3.81nC@4.5V 8.3nC@8V 45nC@8V 12.3nC@4.5V 3.4nC@4V 310nC@10V 16.8nC@4V 10.8nC@4.5V 2nC@4V 17.5nC@4.5V 0.8nC@5V 13.1nC@10V 48.5nC@4.5V 0.75nC@4.5V 0.8nC@4.5V 58.3nC@10V 17.8nC@4.5V 0.93nC@10V 0.7nC@4.5V 78nC@4.5V 0.74nC@4.5V 0.6nC@2.5V 0.5nC@4.5V 24nC@8V 0.31nC@4.5V 0.95nC@4.5V 17nC@8V 97nC@4.5V 20.3nC@4.5V 10.6nC@4.5V 52.7nC@4.5V 0.281nC@10V 0.57nC@4.5V 0.34nC@4.5V 158nC@4.5V 11.05nC@4.5V 11nC@2.5V
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 20V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:2300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO3416A
    UMW Mosfet场效应管 AO3416A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3416A

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO3416A
    UMW Mosfet场效应管 AO3416A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3416A

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订100个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订100个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02CX RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02CX RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02CX RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02CX RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3430_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    UMW Mosfet场效应管 SI2302A
    UMW Mosfet场效应管 SI2302A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO3416A
    UMW Mosfet场效应管 AO3416A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3416A

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 AO3416A
    UMW Mosfet场效应管 AO3416A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3416A

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A
    UMW Mosfet场效应管 AO3414A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:436pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 AO3416A
    UMW Mosfet场效应管 AO3416A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3416A

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 SI2300A
    UMW Mosfet场效应管 SI2300A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300A

    工作温度:150℃

    阈值电压:1V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 SI2300A
    UMW Mosfet场效应管 SI2300A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300A

    工作温度:150℃

    阈值电压:1V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧