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    功率
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    连续漏极电流
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 30V
    功率: 1.6W
    当前匹配商品:50+
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4368DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4368DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8340pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4368DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4368DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8340pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8886
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8886

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8886

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:6.5A€8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8886
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8886

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8886

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:6.5A€8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8886
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8886

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8886

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:6.5A€8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8886
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8886

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8886

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:6.5A€8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC653N
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC653N

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":2505}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC653N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1184
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC855N
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC855N

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":522,"10+":565,"14+":1029,"15+":3946}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC855N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:655pF@15V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1523
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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