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    AOS Mosfet场效应管 AON2290
    AOS Mosfet场效应管 AON2290

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W5,RVQ 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5P60W5,RVQ 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5P60W5,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4.5V@230µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@300V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FQB5N60CTM-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB5N60CTM-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3BTMA1 起订107个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N60C3BTMA1 起订107个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":67500,"23+":2500,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N60C3BTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:107
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K2P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K2P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03TR
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ045N03TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3477-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3477-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3477-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:870
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3L045GNGZETB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AON2290
    AOS Mosfet场效应管 AON2290

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03HZGTR
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03HZGTR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ045N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3L045GNGZETB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.8W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3L045GNGZETB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3477-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3477-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":5846,"17+":68000,"18+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3477-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03HZGTR
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03HZGTR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ045N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3L045GNGZETB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3477-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3477-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3477-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL606SNH6327XTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL606SNH6327XTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL606SNH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.3V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:657pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL606SNH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL606SNH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL606SNH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.3V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:657pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS030N03CTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:640mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.8W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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