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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 30A
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:400+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    栅极电荷:16.6nC@10V

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    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM340N06CP ROG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1180pF@30V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:16.6nC@10V

    功率:66W

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    功率:19.8W

    输入电容:1780pF@20V

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVB110N65S3F
    onsemi Mosfet场效应管 NVB110N65S3F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30025}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB110N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2560pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:107
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    MCC Mosfet场效应管 MCAC30N06Y-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCAC30N06Y-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC30N06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1552pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N10S5L240ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N10S5L240ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ30N10S5L240ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45.5W

    阈值电压:2.2V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:832pF@50V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":798}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT095N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@2.8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2833pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:84
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