采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"13+"：10000，"9999"：173}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN34LN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@20V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@2.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K0CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K0CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K0CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"12+"：20000，"9999"：250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN27UN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：700mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K0CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：42000，"21+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"12+"：20000，"9999"：250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN27UN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：700mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"13+"：10000，"9999"：173}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN34LN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@20V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@2.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K0CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K0CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K0CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K0CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
