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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
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    连续漏极电流: 78A
    包装方式: 卷带(TR)
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

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    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

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    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

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    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    输入电容:2557pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:78A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:39W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6610-75C,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6610-75C,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":329,"17+":378,"18+":6767}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6610-75C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5251pF@25V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:346
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":145500,"23+":195000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:812
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2008}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C460NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C460NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C460NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@20V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6210-55C,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6210-55C,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2500,"18+":17500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6210-55C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6210-55C,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6210-55C,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2500,"18+":17500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6210-55C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C460NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C460NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C460NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@20V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2008}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2008}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:211
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6210-55C,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6210-55C,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2500,"18+":17500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6210-55C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:822
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C460NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C460NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C460NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@20V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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