采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN014-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN014-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N005AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3V@145µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11144pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N005AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3V@145µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11144pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N005AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3V@145µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11144pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N005AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3V@145µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11144pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN014-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N005AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3V@145µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11144pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N005AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3V@145µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11144pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N005AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3V@145µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11144pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN014-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN014-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN014-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
