采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670S2LH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@2.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@270mA，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670S2LH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@2.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@270mA，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670S2LH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@2.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@270mA，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS670S2LH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@2.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@270mA，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670S2LH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@2.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@270mA，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670S2LH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@2.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@270mA，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670S2LH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@2.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@270mA，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670S2LH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@2.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@270mA，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670S2LH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@2.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@270mA，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.2pF@25V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670S2LH6327XTSA1
连续漏极电流：540mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
导通电阻：650mΩ@270mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：2V@2.7µA
输入电容：75pF@25V
栅极电荷：2.26nC@10V
漏源电压：55V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
连续漏极电流：540mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：30.2pF@25V
漏源电压：60V
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.87nC@10V
功率：430mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0SFD-7
连续漏极电流：540mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：30.2pF@25V
漏源电压：60V
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.87nC@10V
功率：430mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
