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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 3.2A
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@0V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@0V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:123
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENER
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENER

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV52ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:630mW€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV52ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:630mW€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS3157NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS3157NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS606NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.3V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:657pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS3157NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS606NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.3V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:657pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N50C3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N50C3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2475,"22+":37500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N50C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENER
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENER

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV52ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:630mW€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS606NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.3V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:657pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENER
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENER

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV52ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:630mW€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENER
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENER

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV52ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:630mW€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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