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    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@24V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1457
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD020PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD020PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Microchip Mosfet场效应管 DN2535N3-G
    Microchip Mosfet场效应管 DN2535N3-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2535N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装方式:

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@120mA,0V

    漏源电压:350V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Microchip Mosfet场效应管 VN2106N3-G
    Microchip Mosfet场效应管 VN2106N3-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN2106N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Microchip Mosfet场效应管 VN0106N3-G
    Microchip Mosfet场效应管 VN0106N3-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN0106N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:

    输入电容:65pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Microchip Mosfet场效应管 TN0702N3-G
    Microchip Mosfet场效应管 TN0702N3-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0702N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:

    输入电容:200pF@20V

    连续漏极电流:530mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@500mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT3G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT3G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@24V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:228mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS3157NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS3157NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD020PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS606NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.3V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:657pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2309pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6013LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6013LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6013LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2577pF@30V

    连续漏极电流:10.3A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Microchip Mosfet场效应管 VN10KN3-G-P002
    Microchip Mosfet场效应管 VN10KN3-G-P002

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10KN3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
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