采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA36EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6636pF@25V
连续漏极电流：350A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC025SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：232nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@1000V
连续漏极电流：103A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA36EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6636pF@25V
连续漏极电流：350A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L018N075SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@22mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：262nC@18V
包装方式：管件
输入电容：5010pF@375V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@66A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75852G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：480nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7690pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1247，"22+"：203}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTL66518
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@75V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L018N075SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@22mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：262nC@18V
包装方式：管件
输入电容：5010pF@375V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@66A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1247，"22+"：1386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：246，"MI+"：26}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75852G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：480nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7690pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4836}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL40T209ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：269nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ110EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4836}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL40T209ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：269nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA36EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6636pF@25V
连续漏极电流：350A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：283nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4689pF@325V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1247，"22+"：1386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L018N075SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@22mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：262nC@18V
包装方式：管件
输入电容：5010pF@375V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@66A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：283nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4689pF@325V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：283nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4689pF@325V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP60N20T
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4530pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4836}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL40T209ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：269nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ110EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ110EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：283nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4790pF@325V
连续漏极电流：142A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTL66518
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@75V
连续漏极电流：214A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA36EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6636pF@25V
连续漏极电流：350A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：283nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4689pF@325V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ110EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
