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    功率
    35W
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    漏源电压
    连续漏极电流
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    功率: 35W
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:20+
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI730GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI730GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI730GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI634GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI634GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI634GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI830GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI830GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI830GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:610pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI634GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI634GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI634GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI630GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI630GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI630GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQU3N50CTU 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU3N50CTU 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7971}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU3N50CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:365pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI634GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI634GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI634GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI830GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI830GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI830GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:610pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI730GPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI730GPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI730GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI630GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI630GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI630GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI830GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI830GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI830GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:610pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI730GPBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI730GPBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI730GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI630GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI630GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI630GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF22N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF22N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF22N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQU3N50CTU 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU3N50CTU 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":7971}

    规格型号(MPN):FQU3N50CTU

    栅极电荷:13nC@10V

    漏源电压:500V

    功率:35W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:365pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI830GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI830GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI830GPBF

    漏源电压:500V

    功率:35W

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.1A

    包装方式:管件

    输入电容:610pF@25V

    导通电阻:1.5Ω@1.9A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF

    功率:35W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:10nC@10V

    导通电阻:190mΩ@5.2A,10V

    输入电容:310pF@25V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:8.7A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

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