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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    功率: 30W
    漏源电压: 600V
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

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    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

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    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

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    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    连续漏极电流:9.7A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@360µA

    输入电容:590pF@300V

    功率:30W

    栅极电荷:20nC@10V

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:972
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SE8228AUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SE8228AUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SE8228AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":11000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:278
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBC20GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBC20GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBC20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":11000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":35949,"12+":29297,"13+":13783,"14+":33100,"15+":1649,"16+":5000,"17+":150,"18+":16000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1188
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":55000,"14+":500}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:325
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZH

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":35949,"12+":29297,"13+":13783,"14+":33100,"15+":1649,"16+":5000,"17+":150,"18+":16000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":11000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SE8228AUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SE8228AUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SE8228AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1877}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1877}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBC20GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBC20GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBC20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":11000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SE8228AUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R600P7SE8228AUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R600P7SE8228AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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