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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    功率: 66W
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:30+
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R520C6XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R520C6XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1570,"15+":17550,"18+":7489,"19+":3500,"9999":200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R520C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:3.5V@230µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:512pF@100V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:12A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP50R520CPXKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP50R520CPXKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":8,"16+":6000,"17+":1000,"18+":2136}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP50R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

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    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R520E6XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R520E6XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":373,"12+":100,"16+":500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R520E6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:3.5V@230µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:512pF@100V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:521
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R520C6XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R520C6XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1570,"15+":17550,"18+":7489,"19+":3500,"9999":200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R520C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:3.5V@230µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:512pF@100V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:521
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP50R520CPXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP50R520CPXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":8,"16+":6000,"17+":1000,"18+":2136}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP50R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:499
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R520C6XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R520C6XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1570,"15+":17550,"18+":7489,"19+":3500,"9999":200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R520C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:3.5V@230µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:512pF@100V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP50R520CPXKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP50R520CPXKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":8,"16+":6000,"17+":1000,"18+":2136}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP50R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:12A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:12A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP50R520CPXKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP50R520CPXKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":8,"16+":6000,"17+":1000,"18+":2136}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP50R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:12A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
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