采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
漏源电压：75V
导通电阻：6mΩ@80A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：16A€80A
输入电容：5150pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
功率：255W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：323}
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
栅极电荷：111nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：210A
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：3.5W€300W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.4W
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
导通电阻：94mΩ@6A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
功率：1.5W€48W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：2400}
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
漏源电压：500V
功率：143W
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：2210pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W€125W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：14.5A€60A
输入电容：3135pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
功率：429W
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86540
连续漏极电流：20A€50A
输入电容：6435pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：2.5W€96W
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75545S3ST
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：235nC@20V
导通电阻：10mΩ@75A，10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：3750pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：860}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：489psc
规格型号(MPN)：FQPF19N10
导通电阻：100mΩ@6.8A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：13.6A
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
漏源电压：75V
导通电阻：6mΩ@80A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：16A€80A
输入电容：5150pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
功率：255W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：3100pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：8mΩ@20A，10V
连续漏极电流：16A€104A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
输入电容：1290pF@50V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14mΩ@9A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A€43A
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
输入电容：1350pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：115W
连续漏极电流：10.9A€62A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1015pF@25V
导通电阻：46mΩ@10A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：1.88W€60W
栅极电荷：30nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF035N06B-F154
连续漏极电流：88A
导通电阻：3.5mΩ@88A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：8030pF@30V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
功率：46.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75842P3
连续漏极电流：43A
功率：230W
栅极电荷：175nC@20V
类型：N沟道
输入电容：2730pF@25V
导通电阻：42mΩ@43A，10V
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：41268}
规格型号(MPN)：NTMFS6B14NT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.1W€77W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：10A€50A
输入电容：1300pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：15mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160
输入电容：1290pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@9A，10V
类型：N沟道
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A€43A
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NAFT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：29A€140A
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：2100pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
功率：3.7W€83W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
输入电容：6655pF@30V
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
连续漏极电流：240A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB3632
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：9mΩ@80A，10V
类型：N沟道
输入电容：6000pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
连续漏极电流：12A€80A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NT1G-TE
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@25V
栅极电荷：60.2nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：35A€230A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
功率：3.8W€170W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
输入电容：210pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：1.6W
栅极电荷：5nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60N
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：199mΩ@8A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：52.3nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
功率：134.4W
连续漏极电流：16A
输入电容：2170pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
输入电容：632pF@50V
功率：3W
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：31125，"17+"：1650}
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
栅极电荷：26nC@10V
功率：114W
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：945pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：22.7A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP2572
栅极电荷：34nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：54mΩ@9A，10V
功率：135W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：4A€29A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
