品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4706NR2G
导通电阻:12mΩ@10.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:830mW
栅极电荷:15nC@4.5V
连续漏极电流:6.4A
输入电容:950pF@24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":127500}
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:950pF@24V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":590,"08+":3075}
规格型号(MPN):NTD4810NH-1G
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:管件
功率:1.28W€50W
连续漏极电流:9A€54A
导通电阻:10mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1225pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}
规格型号(MPN):NTD4813NH-35G
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:13mΩ@30A,10V
输入电容:940pF@12V
包装方式:管件
连续漏极电流:7.6A€40A
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:1.27W€35.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:28A€116A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:5315pF@15V
栅极电荷:88nC@10V
导通电阻:2mΩ@28A,10V
功率:2.5W€78W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":14828}
规格型号(MPN):NTMFS4854NST3G
输入电容:4830pF@12V
包装方式:卷带(TR)
功率:900mW€86.2W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@11.5V
漏源电压:25V
连续漏极电流:15.2A€149A
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8882
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:945pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:10.5A€16A
功率:2.3W€18W
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
栅极电荷:20nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":4170,"09+":9000,"10+":2523,"11+":28490,"14+":4450,"15+":1500}
规格型号(MPN):NTMFS4846NT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@12V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:53nC@11.5V
连续漏极电流:12.7A€100A
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
功率:890mW€55.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS7002A
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1193,"13+":300,"15+":843,"18+":2500}
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
输入电容:1376pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:7.8A
导通电阻:9mΩ@12A,10V
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:890mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CLTXG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:2.5W€205W
输入电容:12238pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:0.63mΩ@50A,10V
栅极电荷:205nC@10V
连续漏极电流:67A€433A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:7.8A
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
输入电容:970pF@24V
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET1G
输入电容:26.7pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
栅极电荷:0.81nC@5V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002LT1G
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:225mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002LT7G
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:225mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4835NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:52nC@11.5V
连续漏极电流:13A€130A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:890mW€62.5W
导通电阻:3.5mΩ@30A,10V
输入电容:3100pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:20A€40A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4830pF@15V
功率:2.3W€41W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4847NT1G
输入电容:2614pF@12V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:880mW€48.4W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:11.5A€85A
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":59610,"07+":207000,"08+":1500}
规格型号(MPN):NTMFS4839NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
输入电容:1588pF@12V
连续漏极电流:9.5A€64A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:870mW€41.7W
ECCN:EAR99
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":65450}
规格型号(MPN):BSS123
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:14pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:1.8nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT3G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
栅极电荷:5.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":28813,"08+":4320,"10+":65000,"11+":41442,"16+":22500,"12+":2500,"13+":11350,"15+":5000}
规格型号(MPN):NTD4863NT4G
功率:1.27W€36.6W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.2A€49A
导通电阻:9.3mΩ@30A,10V
输入电容:990pF@12V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":59025}
规格型号(MPN):NTD3808NT4G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:16V
栅极电荷:21nC@4.5V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:1.3W€52W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1660pF@12V
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
连续漏极电流:12A€76A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP8896
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
包装方式:管件
连续漏极电流:16A€92A
导通电阻:5.9mΩ@35A,10V
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:14pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:1.8nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8874
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:5.1mΩ@35A,10V
连续漏极电流:18A€116A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:72nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2990pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS7002A
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
栅极电荷:5.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5867NLT4G
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:3.3W€43W
漏源电压:60V
连续漏极电流:22A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:39mΩ@11A,10V
输入电容:675pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002LT3G
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:225mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: