包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF10N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R360P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.5V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:930pF@500V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC350N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP13NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS010N10MCLTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@50V
连续漏极电流:10.7A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH14N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1043pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP7N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA36N30P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:347W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2040pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP8N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:527pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF7N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:10.9A€38.7A
类型:N沟道
导通电阻:17.4mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2000,"18+":2000,"22+":2300,"9999":546}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHP27NQ11T,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:27.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,10V
漏源电压:110V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50ND
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ850EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:10.9A€38.7A
类型:N沟道
导通电阻:17.4mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSF134N10NJ3GXUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.2W€43W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@50V
连续漏极电流:9A€40A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB13NM60N
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS606BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:9.4A€35.3A
类型:N沟道
导通电阻:17.4mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: