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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7607TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7607TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7607TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
