销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@50V
连续漏极电流:4.2A€5.5A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@4.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@50V
连续漏极电流:4.2A€5.5A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@4.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@50V
连续漏极电流:4.2A€5.5A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@4.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@50V
连续漏极电流:4.2A€5.5A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@4.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@50V
连续漏极电流:4.2A€5.5A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@4.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@50V
连续漏极电流:4.2A€5.5A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@4.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2470,"23+":30}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@50V
连续漏极电流:4.2A€5.5A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@4.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: