品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€273W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9281pF@25V
连续漏极电流:51A€430A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX24N100Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@12A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP260N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10800pF@25V
连续漏极电流:260A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":7268,"20+":13700,"23+":8000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N10S403AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10120pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3405pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:112mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8250pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM45N25-58-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.9W€205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9230pF@25V
连续漏极电流:65A€420A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8250pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1447,"22+":4900,"23+":985}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8250pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":50,"23+":1200,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4610PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4610TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":451,"16+":461}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI80N03S4L03AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@90µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9750pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR24N100Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7200pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@12A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":50,"23+":1200,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4610PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4610PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@90µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8250pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":50,"18+":4711,"19+":10250}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFB4610
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3550pF@50V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@16A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@16A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N03S4L-02
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@90µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:9750pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N10S403ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10120pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: