采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6437-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6000，"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6437-TL-E
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6000，"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6437-TL-E
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16327Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16323Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@24A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
