采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5040，"23+"：4236，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2637}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5040，"23+"：4236，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2637}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：960，"19+"：1240，"9999"：218，"MI+"：240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R037P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1.48mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5243pF@400V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@29.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8510pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8510pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1.48mA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5243pF@400V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@29.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1.48mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5243pF@400V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@29.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1.48mA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5243pF@400V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@29.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1.48mA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5243pF@400V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@29.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5040，"23+"：4236，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R037P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1.48mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5243pF@400V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@29.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5040，"23+"：4236，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2637}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
