采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF680N10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC252N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@43µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@50V
连续漏极电流：7.2A€40A
类型：N沟道
导通电阻：25.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC252N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@43µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@50V
连续漏极电流：7.2A€40A
类型：N沟道
导通电阻：25.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC252N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@43µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@50V
连续漏极电流：7.2A€40A
类型：N沟道
导通电阻：25.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC252N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@43µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@50V
连续漏极电流：7.2A€40A
类型：N沟道
导通电阻：25.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC252N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@43µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@50V
连续漏极电流：7.2A€40A
类型：N沟道
导通电阻：25.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC252N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@43µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@50V
连续漏极电流：7.2A€40A
类型：N沟道
导通电阻：25.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF680N10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
