采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9520pF@20V
连续漏极电流：39A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP024N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：3.8V@139µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：28A€182A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF023N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@139µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：209A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF023N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@139µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：209A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3024}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9520pF@20V
连续漏极电流：39A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9760pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP024N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：3.8V@139µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：28A€182A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC012N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：3.3V@143µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@30V
连续漏极电流：41A€311A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0300S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@15V
连续漏极电流：31A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR800DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5125pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9760pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0300S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@15V
连续漏极电流：31A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP024N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：3.8V@139µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：28A€182A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0300S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@15V
连续漏极电流：31A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP024N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：3.8V@139µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：28A€182A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF023N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@139µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：209A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP039N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9450pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7556S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8965pF@13V
连续漏极电流：35A€49A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF023N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@139µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：209A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC012N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：3.3V@143µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@30V
连续漏极电流：41A€311A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC012N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：3.3V@143µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@30V
连续漏极电流：41A€311A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR800DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5125pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP024N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：3.8V@139µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：28A€182A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC012N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：3.3V@143µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@30V
连续漏极电流：41A€311A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9520pF@20V
连续漏极电流：39A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9760pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP024N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：3.8V@139µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：28A€182A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
